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TrendForce:2025 年 HBM 内存价格调涨约 5~10%,占 DRAM 总产值预估将逾三成

5 月 6 日消息,市场分析机构 TrendForce 集邦咨询今日发布研报,表示 2025 年 HBM 内存市场将继续繁荣,产能和市场份额都将进一步提升。

研报指出,2023 年 HBM 在整体 DRAM 内存中的位元产出占比仅有 2%,今年有望成长到 5%,明年更将跨越 10% 节点;

而在市场份额方面,去年 HBM 占整体 DRAM 的 8%,今年将达 21%,2025 年有望成长到超过三成。

TrendForce 的数据显示,目前 HBM 同传统 DDR5 内存的价差约为五倍,同时 HBM3e 内存 TSV 工艺的良率目前仅有 40~60%。

研报表示,供需双方今年二季度已开始就 2025 年的 HBM 订单进行初步价格谈判;另据IT之家此前报道,美光、SK 海力士今年的 HBM 产能已经售罄。

受限于整体 DRAM 产能有限,HBM 内存供应商初步调升了 5~10% 定价,覆盖 HBM2e、HBM3、HBM3e 品类。

目前 HBM 买家仍对 AI 前景保持高度信心,愿意接受价格的进一步上涨;而在供应商方面,未来各厂商的 HBM 内存单价将受可靠性和供应能力影响,存在出现价差并影响获利的可能。

展望 2025 年,HBM 内存的重心将转向 12 层堆叠和 HBM3e 品类,带动 HBM 芯片平均单堆栈容量的提升。2024 年 HBM 内存需求量已增长近 200%,明年有望再次翻倍。

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